一、基本身份
达博，1985年生，甘肃陇南康县人，台积电3nm核心研发科学家、半导体材料/电子束领域顶尖学者。
陇南市高考状元，中国科学技术大学本硕博9年连读，主攻电子束、半导体刻蚀材料
曾任日本国立材料研究所（NIMS）终身研究员，是该所史上最年轻终身学者
2026年5月辞去日本终身职位，带整支核心团队回国，任中科大讲席教授（合肥）
二、核心成就
1.深度参与台积电日本熊本3nm量产线研发，主攻电子束曝光、刻蚀设备核心材料（芯片卡脖子关键技术）
2.原创白电子技术，芯片原子级缺陷检测效率提升近100倍
3.研发圆柱对称旋转晶体，有望突破EUV光刻机技术瓶颈
三、现状
1. 正式任职已全职回国，辞去日本国立材料研究所（NIMS）终身研究员/独立PI职位，正式受聘于中国科学技术大学·工程科学学院，担任讲席教授（合肥）。
2. 团队与产业化- 带领整支日本科研团队一同回国，主攻半导体电子束设备、刻蚀核心材料、先进制程关键部件（台积电3nm相关核心技术）。- 团队部分成员已先期落地合肥，依托合肥国镜仪器科技有限公司开展技术产业化，攻关国产半导体卡脖子技术。
3. 核心工作目标聚焦5nm以下先进制程，攻坚电子束检测、高端刻蚀材料、核心零部件国产化，对接合肥长鑫、晶合集成等本地半导体产业链。