6月15日，半导体行业权威技术分析机构SemiAnalysis发布了其拆解工程实验室（STEEL）的首份公开报告，对华为最新旗舰芯片麒麟9030及其N+3制造工艺进行了深度逆向工程分析。
报告显示，N+3的最小金属间距已达32.5纳米，比英特尔18A工艺目前出货的36纳米间距紧凑约10%，逻辑密度甚至略超台积电N6。然而，这一成绩是通过激进的DUV多重图案化和设计-技术协同优化换来的，在工艺成熟度、成本和能效上付出了显著代价。这也使得麒麟9030 Pro的性能约等于三年前的安卓旗舰，与苹果、高通等当前旗舰存在代际差距。
面对EUV受限的现实，华为已转向“τ缩放”与“LogicFolding”3D堆叠技术，试图通过系统级集成而非单纯的晶体管微缩来延续性能提升。这一发展表明，美国出口管制之下，虽然阻碍了中国半导体产业的优化路径，但并未真正阻挡中国半导体产业的技术进步。
英文原文：https://newsletter.semianalysis.com/p/steel-smic-n3-teardown
中文翻译版：https://www.icsmart.cn/106207/
报告显示，N+3的最小金属间距已达32.5纳米，比英特尔18A工艺目前出货的36纳米间距紧凑约10%，逻辑密度甚至略超台积电N6。然而，这一成绩是通过激进的DUV多重图案化和设计-技术协同优化换来的，在工艺成熟度、成本和能效上付出了显著代价。这也使得麒麟9030 Pro的性能约等于三年前的安卓旗舰，与苹果、高通等当前旗舰存在代际差距。
面对EUV受限的现实，华为已转向“τ缩放”与“LogicFolding”3D堆叠技术，试图通过系统级集成而非单纯的晶体管微缩来延续性能提升。这一发展表明，美国出口管制之下，虽然阻碍了中国半导体产业的优化路径，但并未真正阻挡中国半导体产业的技术进步。
英文原文：https://newsletter.semianalysis.com/p/steel-smic-n3-teardown
中文翻译版：https://www.icsmart.cn/106207/
