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关于电场中高斯定理微分形式与介质分界面边界条件之间的关系。。。

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在静电场中D的散度等于自由电荷体密度。。。然后边界条件中D的法向分量只差为交界面自由电荷面密度。。。这两者之间有什么差别和联系么?如何统一的。。。谢谢大家先。。。


IP属地:上海1楼2011-11-27 16:30回复
    什么书呢。。。大神耐心点解释下啦。。。


    IP属地:上海3楼2011-11-27 17:15
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      2026-05-26 22:57:46
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      555。。。好吧我换个问法。。。这两个东西说的是不是一个事。。。?


      IP属地:上海5楼2011-11-27 17:25
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        就是问这边界条件是不是这电场规律在边界的体现。。。如何体现的。。。D的散度和法向分量,自由电荷体密度和分界面自由电荷面密度之间啥关系。。。


        IP属地:上海8楼2011-11-27 17:31
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          回复9楼:那这两个公式如何从一个推到令一个呢?


          IP属地:上海来自Android客户端10楼2011-11-27 18:03
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            没有那书啊。。。这样说吧,D 的法向分量和D的散度直接什么关系?不一样的吧


            IP属地:上海12楼2011-11-28 17:37
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              可否详细说说?好像有点感觉了。。。


              IP属地:上海14楼2011-11-28 18:29
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