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第一颗“合肥造”19纳米级12英寸DRAM工艺存储器有望年内下线

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合肥DRAM“506项目”起源于2016年5月6日兆易创新朱一明董事长和合肥市及经开区主要领导研讨合肥的存储器项目发展战略,因而得名。“506”项目包含合肥长鑫、长鑫存储、睿力集成三个运营主体。长鑫存储技术有限公司董事长、睿力集成电路有限公司首席执行官王宁国介绍,项目的目标为自主发展主流 DRAM 存储器 IDM。
王宁国表示,合肥DRAM“506项目”一期总投资 534 元人民币,2018年1月一厂厂房建设完成,并开始设备安装;2018年底生产8Gb DDR4工程样品;2019年底实现产能2万片/月;2020年开始规划二厂建设;2021年完成17纳米技术研发。未来,希望用长鑫睿力 DRAM IDM 平台大力扶持国产半导体设备与材料的研发和产业化进程。


IP属地:安徽1楼2018-04-16 12:38回复
    晶合二期也在建造中


    IP属地:安徽来自Android客户端3楼2018-04-16 12:50
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      2026-07-30 01:27:31
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      IP属地:安徽来自Android客户端6楼2018-04-16 22:48
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